GTVA12600雷达放大器CREE

发布时间：2023-06-08 16:49:38 浏览：1013

CREE雷达放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)，适用于1200至1400MHz频率段。GTVA12600具备输入适配性能；高效化;和热强化包。

特征

输入适配

常见的单脉冲CW性能（AB类）；1200MHz；50伏；300μs脉冲频率；10%pwm占空比；输出功率(P3dB)=600W；引流效率=65%；增益值=18dB

可以在单脉冲环境下以600W输出功率承载10:1负载失谐（所有相位差）：300μs脉冲频率；10%pwm占空比；VDD=50V；IDQ=100mA

模特模型1C类（根据AnSI/ESDA/JEDECJS-001）

无铅并符合RoHS标准规定

应用

雷达放大器

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
GTVA126001FC-V1	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	600 W	20 dB	63%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Earless
GTVA126001EC-V1	GaN on SiC	1.2 GHz	1.4 GHz	600 W	20 dB	63%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Bolt Down

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHW4313-QAG功率分配器/合成器UMS