CGHV40100 L波段放大器CREE

发布时间：2023-03-24 16:36:20 浏览：717

Wolfspeed的CGHV40100是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGHV40100；选用50伏电流电压轨工作；提供一种通用型；各种各样射频和微波应用的宽带宽解决方案。CGHV40100提供高效化；高增益和宽带宽性能；使CGHV40100成为了线性和压缩功率放大电路的最佳选择。CGHV40100管选用2导线法兰盘和药丸式封装形式。

特征

高至3GHz的操作

100W经典输出功率

2.0GHz时的17.5dB小信号增益值

0.5–2.5GHz应用电源电路

PSAT高效化55%

50伏操控

应用

线性和压缩功率放大电路

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CGHV40100P	GaN on SiC	DC	3 GHz	100 W	17.5 dB	55%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Pill
CGHV40100P-AMP	GaN on SiC	0.5 GHz	2.5 GHz	100 W	17.5 dB	55%	50 V	Evaluation Board	Pill
CGHV40100F-AMP	GaN on SiC	0.5 GHz	2.5 GHz	100 W	17.5 dB	55%	50 V	Evaluation Board	Flange
CGHV40100F	GaN on SiC	DC	3 GHz	100 W	17.5 dB	55%	50 V	Packaged Discrete Transistor	Flange

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA2368-98F低噪声放大器UMS