CG2H30070F L波段放大器CREE

发布时间：2023-03-10 16:33:00 浏览：1148

Wolfspeed的CG2H30070F是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具有输入适配，能够在0.5-3.0GHz范围之内提供最理想的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更优越的使用性能；CG2H30070F包括更好的击穿场强；更好的饱和电子飘移速度和更好的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还提供了更好的功率密度和更宽的带宽。CG2H30070F选用2导线金属/陶瓷法兰盘封装，可以实现最理想的电气和热稳定性。

特征

0.5–3.0GHz应用电源电路

28V时标称值为85WPOUT

10dB功率增益值

58%的排气效率

内部适配

应用

宽带放大器

通信对抗方案

电磁干扰

雷达探测

数据连接

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H30070F-AMP2	GaN on SiC	0.5 GHz	3 GHz	80 W	15 dB	55%	28 V	Evaluation Board	Flange
CG2H30070F	GaN on SiC	0.5 GHz	3 GHz	80 W	15 dB	55%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Flange

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA2595-QDG低噪声放大器UMS