CG2H80120D C波段GaN HEMT 芯片CREE

发布时间：2022-11-16 16:53:01 浏览：691

Wolfspeed的CG2H80120D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，GaN具备更优越的性能；CG2H80120D包含更高击穿场强；更高饱和电子漂移速率；和更高热导率。与Si和GaAs晶体管相比较，CG2H80120D具备更高功率密度和更宽的带宽。

特征

120W经典PSAT

28伏操控

高击穿场强

高温度操控

高至8GHz的操控

高效率

应用

2路专用无线通信

宽带放大器

蜂窝基础设施建设

测试设备

ClassA;AB；主要用于OFDM的线性放大器；无线频分多址；边缘;CDMA波形

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

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Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CG2H80120D-GP4	GaN on SiC	DC	8 GHz	120 W	>12 dB	65%	28 V	Discrete Bare Die	Die

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