CGH40025 C波段25W 射频功率 GaN HEMT CREE

发布时间：2022-09-07 17:12:19     浏览：765

Wolfspeed的CGH40025无可挑剔的；氮化镓(GaN)晶体管具有较高的电子迁移率(HEMT)。CGH40025；从28伏电压轨工作；提供通用型；CGH40025宽带网络解决方案适合各种射频和微波应用领域。GaN HEMT提供高效率；高增益和宽带网络宽性能；CGH40025称为线性和压缩功率放大电路理想的选择。晶体管可旋进；法兰封装和焊接药丸式封装。

CGH40025.png

特征

高至6GHz的操控

2.0GHz时15dB小信号增益值

4.0GHz时13dB小信号增益值

30W典型PSAT

PSAT效率为62%

28伏操控

应用领域

2路私人收音机

宽带放大器

蜂窝基础设施建设

测试设备

ClassA;AB;主要用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波形

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH40025F

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH40025P

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGH40025F-AMP

GaN on SiC

3.4 GHz

3.8 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Evaluation Board

Flange


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