C波段氮化镓 HEMT CG2H80015D CREE

发布时间：2022-08-10 17:04:39     浏览：825

Wolfspeed的CG2H80015D是种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN与硅或砷化镓相比较具备优异的性能参数；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子偏移速度；和更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT提供更高的功率因素和更宽的带宽。

特征

15W典型PSAT

28伏操控

高击穿场强

高温操控

高达8GHz的操控

效率高

应用

2路个体收音机

宽带放大器

蜂窝基础建设

测试设备

ClassA;AB;主要用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；边沿;CDMA波型

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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