C波段10W 射频功率 GaN HEMT CG2H40010 CREE

发布时间：2022-07-22 16:35:48     浏览：856

CREE的CG2H40010是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。CG2H40010；从28伏电流电压轨运转；提供通用型的；C波段10W射频功率GaN HEMT CG2H40010主要用于多种射频和微波应用的光纤宽带解决方案。GaNH EMT提供高效率；高增益和光纤宽带宽性能；使CG2H40010成为了线性和压缩功率放大电路的理想化选择。晶体管适合于两种旋紧式；法兰和焊接药丸封装形式。

CREE.png

特征

高达8GHz的操控

2.0GHz时18dB小信号增益值

4.0GHz时16dB小信号增益值

17W典型PSAT

PSAT70%的效率

28伏操控

应用

2路个人收音机

宽带放大器

蜂窝基础设施建设

测试设备

ClassA;AB;主要用于OFDM的线性放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 

产品 SKU

技术

最小频率

最大频率

峰值输出功率

获得

效率

工作电压

形式

包装类型

CG2H40010P

碳化硅上的氮化镓

DC

6GHz

10 W

>16 dB

65%

28V

封装分立晶体管

Pill

CG2H40010F-AMP

碳化硅上的氮化镓

3.5GHz

3.9GHz

10 W

>16 dB

NA

28 V

评估板

Flange

CG2H40010F

碳化硅上的氮化镓

DC

6GHz

10 W

>16 dB

65%

28 V

封装分立晶体管

Flange


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