CREE射频功率 GaN HEMT

发布时间：2022-07-11 17:01:02 浏览：915

CREE射频功率CGH40006是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子器件迁移率晶体管(HEMT)。CREE射频功率CGH40006；从28V电压轨运转；提供通用型；主要用于各种各样射频和微波应用的宽带网络解决方案。CREE射频功率GaNHEMT提供高效率；高增益和宽带网络宽功能；使CGH40006作为线性和压缩功率放大电路的理想化选择。CREE射频功率GaNHEMT选用焊接药Pill封装形式和3-mmx3-mm；表面贴装;双扁平无导线封装形式。

特征

高达6GHz的操控；

2.0GHz时13dB小信号增益值；

6.0GHz时11dB小信号增益值；

PIN=32dBm时典型值为8W；

28伏操控；

应用

2路个体调频收音机；

宽带放大器；

蜂窝基础设施建设；

测试设备；

ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型；

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，CREE产品包含：发光二极管芯片，照明发光二极管，背光发光二极管，功率开关器件，无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道，长期备有库存，以满足中国市场的需求，欢迎咨询。

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产品	最小频率	最大频率	峰值输出功率	获得	效率	工作电压	形式	包装类型
CGH40006S-AMP1	DC	6GHz	6W	>11 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Surface Mount
CGH40006P-AMP	2GHz	6GHz	6W	>11 dB	NA	28 V	Evaluation Board	Pill
CGH40006S	DC	6GHz	6W	>11 dB	65%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Plastic
CGH40006P	DC	6GHz	6W	>11 dB	65%	28 V	Packaged Discrete Transistor	Pill

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