PTRA087008NB-V1高功率射频LDMOS场效应晶体管CREE

发布时间：2024-10-21 17:05:16 浏览：589

PTRA087008NB-V1是一款650瓦的高功率射频LDMOS场效应晶体管。设计用于755 MHz至805 MHz的多标准蜂窝功率放大器应用。PTRA087008NB-V1采用先进的LDMOS工艺制造；PTRA087008NB-V1具有优异的热性能和优异的可靠性。

特征

宽带内部输入输出匹配

非对称设计：主P1dB=245W典型值；峰值P1dB=380 W典型值

典型的脉冲CW性能；805兆赫；48v；Doherty配置：P3dB=650W时的输出功率；效率=52%；增益=19.5 dB

能够在48 V下处理10:1 VSWR；30 W（WCDMA）输出功率

集成ESD保护

符合RoHS标准

产品规格

说明：高功率RF LDMOS FET 650 W；48v；755-805兆赫

最小频率（MHz）：500

最大频率（MHz）：1000

P3dB输出功率（W）：380

增益（dB）：18.5

效率（%）：52

工作电压（V）：48

包装类别：塑料

形式：封装分立晶体管

技术：LDMOS

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA4220-98F分布式驱动放大器UMS