使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

发布时间：2018-05-04 13:53:07     浏览：9295

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有独立栅极偏置控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强。

GaN HEMT具有较高的输出功率密度和较宽的带宽效率。但是，GaN HEMT的线性典型地比GaAs器件的线性更差。本文提出了一种简单的方法来提高GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元，然后将功率合并为子单元输出。原型放大器..

下一篇: AM206545SF-3H微波元件的特点与功能

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​ECLB75W-24S12隔离型 DC-DC 转换器模块现货库存
    ​ECLB75W-24S12隔离型 DC-DC 转换器模块现货库存 2025-08-18 16:37:02

    ECLB75W-24S12 是 CINCON 推出的 ECLB75W 系列隔离型 DC-DC 转换器模块，额定功率 75W，输入电压 9 - 36VDC（4:1 宽范围），输出 12V/6.25A（单路），具有输出精度±1%、典型效率 91%等关键规格，还具备完善的保护系统。