CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE

CMPA1D1E025 Ku波段功率放大器CREE

发布时间：2024-02-26 17:16:48 浏览：778

CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。CMPA1D1E025 选用 10 导线；25 mm x 9.9 mm；金属/陶瓷法兰盘封装能够实现最理想的电气设备和热稳定性。

CREE (15).png

特征

24 dB 小信号增益值

40 W 典型脉冲信号 PSAT

额定电压高至 40 V

OQPSK 下 20 W 线性功率

A/B类高增益；高效率 50 Ω MMIC Ku 频率段高功率放大器

应用领域

军工用和商用 Ku 波段雷达

产品规格

描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器

最低频率(MHz)：13500

最高频率(MHz)：14500

最高值输出功率(W)：25

增益值(dB)：26.0

工作效率（％）：16

额定电压(V)：40

类型：封装的MMIC

封装类别：法兰盘

技术：GaN-on-SiC

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