​Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-Photonics

发布时间:2023-12-05 16:51:51     浏览:698

Electro-PhotonicsQ3XG-1850R耦合器具备SMT性能,对于建议的线路板布局进行全面优化调整。选用中小型封装,具有低插入损耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器应用领域。

Q3XG-1850R耦合器是非磁性的,适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造,满足RoHSREACH标准。

Q3XG-1850R标准表层处理是浸锡。能根据需要提供化学镀镍浸金(ENIG)

Q3XG-1850R.jpg

特征

1500–2200MHz

低损耗

高隔离度

严苛的振幅平衡性

90度正交

表面贴装技术

CTE适配

DCSPCSLTE频率段

卷带选择

评估板722-0006-03-E01

规格

规格:0.560x0.350英寸

频率:1500-2200MHz

额定功率:165

插入损耗:0.10dB

幅度平衡性:±.2

隔离度:28dB

驻波比:1.15

相位平衡性:±2

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