Q3XD-665R SMT 混合耦合器Electro-Photonics
发布时间:2023-11-01 17:10:21 浏览:866
Electro-Photonics LLC 提供适合各种技术应用、功率和工作频段的3dB90度SMT混合耦合器。Q3XD-665R耦合器具备SMT功能性,针对介绍的线路板布局进行全面优化。
Q3XD-665R的3dB90°混合耦合器选用中小型封装,具备低插入损耗和高功率性能。Q3XD-665R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器技术应用。
Q3XD-665R耦合器是非磁性的,适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造,满足RoHS和REACH标准规定。
Q3XD-665R标准规定表层处理是浸锡。能根据需求提供化学镀镍浸金(ENIG)。
特征
470–860MHz
低损耗
高隔离度
严苛的振幅均衡
90度正交
表面贴装技术
CTE适配
NMT、有线数字电视频率段
卷带选择
评估板722-0006-04-E01
规格
尺寸:0.650x0.480英寸
工作频率:470-860MHz
额定功率:175瓦
插入损耗:0.20dB
幅度均衡:±.5
隔离度:23dB
驻波比:1.18
相位均衡:±2
Electro-Photonics 拥有25年的被动射频元件设计与制造经验,产品涵盖混合和定向耦合器、功分器、滤波器、测试板、隔离器、环形器等产品。
深圳市立维创展科技有限公司,代理分销Electro-Photonics产品。
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