CREE射频功率 GaN HEMT

发布时间：2022-07-11 17:01:02     浏览：817

CREE射频功率CGH40006是前所未有的；氮化镓(GaN)高电子器件迁移率晶体管(HEMT)。CREE射频功率CGH40006；从28V电压轨运转；提供通用型；主要用于各种各样射频和微波应用的宽带网络解决方案。CREE射频功率GaNHEMT提供高效率；高增益和宽带网络宽功能；使CGH40006作为线性和压缩功率放大电路的理想化选择。CREE射频功率GaNHEMT选用焊接药Pill封装形式和3-mmx3-mm；表面贴装;双扁平无导线封装形式。

特征

高达6GHz的操控；

2.0GHz时13dB小信号增益值；

6.0GHz时11dB小信号增益值；

PIN=32dBm时典型值为8W；

28伏操控；

应用

2路个体调频收音机；

宽带放大器；

蜂窝基础设施建设；

测试设备；

ClassA;AB;主要用于OFDM的功率放大器；W-CDMA；EDGE;CDMA波型；

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，CREE产品包含：发光二极管芯片，照明发光二极管，背光发光二极管，功率开关器件，无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道，长期备有库存，以满足中国市场的需求，欢迎咨询。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 CREE.png

产品

最小

频率

最大

频率

峰值输出功率

获得

效率

工作电压

形式

包装类型

CGH40006S-AMP1

DC

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH40006P-AMP

2GHz

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Pill

CGH40006S

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Plastic

CGH40006P

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill


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