UMS毫米波内部匹配GAN功率晶体管

发布时间：2022-04-13 16:54:30 浏览：1034

GaN材料是第三代半导体的典型代表，具备宽禁带、高击穿场强、高热导率和高峰值电子漂移速度等优质性能。因此，GaN材料可以很好地满足耐高温、高频率和功率大的工作要求，GaN功率晶体管一直是L和S波段雷达系统中线性和压缩功率放大器的有源元件。Gan功率晶体管可用作航空电子、商业服务、工业生产、医疗设备和国防军事用途的电路和系统中的各种应用。它们都通过宽带gap GaN半导体材料的作用，在小封装中产生高功率密度和高输出功率电平的RF/微波晶体管

UMS毫米波提供基于ASIC或目录产品的全方面报价，主要基于公司内部的III-V技术，并提供全方面的合同服务，使客户能够直接建立自己的产品解决方案。UMS毫米波的所有目录产品从DC到100GHz都基于GaAs、Gan和SiGe技术，包括高达200W的功率放大器、混合信号功能、超低噪声放大器和完整的收发器系统。UMS产品以模具的形式提供，但通常以多芯片模块的形式封装。

深圳市立维创展科技有限公司是UMS的代理商，专业为无线通信工程、航天基站、国防、汽车、ism等行业提供高可靠性射频微波毫米波器件及集成电路。UMS产品采用QFN和模具包装，交货期短，价格优势独特。我们为一些型号提供高质量的UMS产品库存。欢迎咨询。

详情了解UMS请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/36.html

UMS低噪声放大器.png

Reference	RF Bandwidth (GHz)		Small signal Gain (dB)	Power (W)	Associated Gain (dB)	PAE (%)	DC Bias	Case
Reference	min	max	Small signal Gain (dB)	Power (W)	Associated Gain (dB)	PAE (%)	DC Bias	Case
CHZ180AaSEB	1.2	1.4	20	200	>14	52	VDS 45V @ ID_Q 1.3A	Ceramic Metal Flange
CHZ015AaQEG	1.2	1.4	17.2	15	> 14	> 55	VDS 45V@ID_Q 100mA	QFN Plastic package
CHZ8012-QJA	2.6	3.4	16.5	12	11	55	VDS 30V @ ID_Q 180mA	QFN Plastic package
CHZ9012-QFA	2.7	3.4	16	65	12	55	VDS 30V@ID_Q 800mA	QFN Plastic package

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: PULSAR微波带状线3路功率分配器/组合器