AMCOM离散功率GaN HEMT射频晶体管

发布时间：2020-08-27 16:10:31     浏览：1921

AMCOM是全球半导体微波设计领先企业，是机器设备/MMIC封装，功能模块组装和RF/DC检测领域的专家，AMCOM的产品涵盖功率FET，MMIC功率放大器及其带有rf射频和直流电连接器的高功率放大器功能模块。AMCOM离散功率GaNHEMT射频晶体管具备优秀的线形和宽带优势，而且能充分发挥更好的高功率高密度和输出效率。

GaN是一种非常稳定的化合物，具有很强的原子键、高的热导率、最高的电离度和良好的化学稳定性，这使得GaN器件比Si和GaAs具有更强的抗辐射能力。同时，GaN是一种高熔点、高导热性的材料。GaN功率器件通常以SiC为衬底，具有较好的热导率，因此GaN功率器件具有较高的结温和高温工作能力。

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已成为5G大型基站功率放大器的主流候选技术，由于其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为5 G基站首选半导体技术。

深圳市立维创展科技是AMCOM经销商，专业提供AMCOM产品系列包括：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，产品原装进口，质量保证，欢迎咨询。

详情了解AMCOM可点击：http://www.leadwaytk.com/brand/1.html

或联系我们的销售工程师：0755-83642657   QQ: 1369964087

 AMCOM.jpg

离散功率GaN HEMT

模型

频率（GHz）

最大频率（GHz）

增益（dB）

P1分贝（dBm）

峰值（dBm）

偏差（V）

AM050WN-CU-R

直流电

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

直流电

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

直流电

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

直流电

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流电

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

直流电

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

直流电

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

直流电

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

直流电

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

直流电

18

23

32

33.4

-14


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