产品详情介绍
AM005WN-00-R是一种分立的GaN/SiC HEMT,其栅极总宽度为0.5mm。它是一个裸模,可操作高达18千兆赫。它可以提供33.4dbm的典型饱和功率。它可用于低噪声、高动态范围的接收机和大功率发射机的驱动。此部分符合RoHS。
特征
高达18GHz的高频操作
低噪声系数,3GHz时<1dB
在2GHz时增益=23 dB
PAE=56%
P5dB=33.4dBm
应用
高动态接收器
蜂窝无线基站
无线局域网、中继器
雷达
测试仪器
军事
重要参数
频率:DC-18GHz
增益:23
P1dB(DBM):32
PSAT(DBM):33.4
VD(V):28
产品详情介绍
AM005WN-00-R是一种分立的GaN/SiC HEMT,其栅极总宽度为0.5mm。它是一个裸模,可操作高达18千兆赫。它可以提供33.4dbm的典型饱和功率。它可用于低噪声、高动态范围的接收机和大功率发射机的驱动。此部分符合RoHS。
特征
高达18GHz的高频操作
低噪声系数,3GHz时<1dB
在2GHz时增益=23 dB
PAE=56%
P5dB=33.4dBm
应用
高动态接收器
蜂窝无线基站
无线局域网、中继器
雷达
测试仪器
军事