AM025WN-00-R是一种分立的GaN/SiC HEMT，其栅极总宽度为2.5毫米（两个1.25毫米FET并联）。它是一个裸模，可操作高达15千兆赫。它可以提供40.5 dBm的典型饱和功率。此部分符合RoHS。

特征

高达15GHz的高频操作

在2GHz时增益=21dB

PAE=53%

P5dB=40.5 dBm

应用

蜂窝无线基站

无线局域网、中继器

C波段VSAT

雷达

测试仪器

军事