AM025WN-BI-R是一种分立的GaN/SiC HEMT，其栅极总宽度为2.5mm。它是一个陶瓷封装，工作频率高达8千兆赫。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，采用嵌入式安装方式，带有弯曲（BI-G）或直（BI）导线。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

高达8GHz的高频操作

增益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏极=56%@3 GHz

表面贴装

有效散热的底层

应用

高动态接收器

蜂窝无线基站

宽带和窄带放大器

雷达

测试仪器

军事

干扰器