Cree公司的CMPA2560025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比，GaN具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与Si和GaAs晶体管相比，GaN-hemt还具有更高的功率密度和更宽的带宽。这种MMIC包含一个两级反应匹配放大器，使非常宽的带宽可以在一个小的占地面积的拧紧封装，具有铜钨散热器。

特征

•24 dB小信号增益

•25 W典型PSAT

•工作电压高达28 V

•高击穿电压

•高温运行

应用

•超宽带放大器

•光纤驱动器

•测试仪器

•EMC放大器