X3C21P1-05S是一种低姿态，高性能5dB定向耦合器，新的易于使用，制造友好的表面安装封装。它是为WCDMA和LTE应用而设计的。X3C21P1-05S专为高功率放大器中的非二进制分离和组合而设计，例如，与3dB一起使用以获得3路，以及其他需要低插入损耗的信号分配应用。它可以用于高达60瓦的高功率应用。

零件已经过严格的鉴定测试，它们是使用热膨胀系数（CTE）的材料制造的，这些材料与FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺等常见基材兼容。采用符合RoHS标准的6/6浸锡饰面生产

X3C21P1-05S特征：

•2000-2300兆赫

•WCDMA和LTE

•高功率

•非常低的损耗

•紧密耦合

•高指向性

•生产友好型

•磁带和卷轴

•无铅