X3C19F1-03S是一个低姿态，高性能的3dB混合耦合器在一个新的易于使用，制造友好的表面安装封装。它是为AMPS、GSM、WCDMA和LTE频段应用而设计的。X3C19F1-03S是专为平衡功率和低噪声放大器，加上信号分配和其他需要低插入损耗和严格的振幅和相位平衡的应用而设计的。它可以用于高达25瓦的高功率应用。

零件已经过严格的鉴定测试，它们是使用热膨胀系数（CTE）的材料制造的，这些材料与FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺等常见基材兼容。生产6个符合RoHS标准的浸锡饰面

X3C19F1-03S特征：

1700-2300兆赫

放大器、GSM、WCDMA和LTE

高功率

非常低的损耗

紧密振幅平衡

高隔离度

生产友好型

磁带和卷轴

无铅