产品详情介绍
NPT1010B特征
•针对从DC到2000MHz的宽带操作进行优化
•900兆赫时100瓦P3dB连续波功率
•60-95 W PSAT CW功率,500-1000MHz频带内应用设计
•14-28V高效率
•1.4°C/W RTH,最大TJ额定值为200°C
•在所有相位和设备无损坏的情况下,最高达10:1的电压驻波比失配
•受EAR99出口管制
重要参数
NPT1010B大功率射频功率晶体管
工作频率:DC-2.0GHz
功率P3dB: 100W@CW 900MHz 60-95W@CW 0.5-1GHz
高可靠性陶瓷镀金封装
GaN工艺
产品详情介绍
NPT1010B特征
•针对从DC到2000MHz的宽带操作进行优化
•900兆赫时100瓦P3dB连续波功率
•60-95 W PSAT CW功率,500-1000MHz频带内应用设计
•14-28V高效率
•1.4°C/W RTH,最大TJ额定值为200°C
•在所有相位和设备无损坏的情况下,最高达10:1的电压驻波比失配
•受EAR99出口管制