AM030WH4-BI-R是砷化镓HIFET的BI系列的一部分。HiFET是一种部分匹配的专利设备配置，用于高压、大功率、高线性和宽带应用。这部分设备的总外围为12毫米。AM030WH4-BI-R专为高功率微波应用而设计，工作频率高达6GHz。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，直或弯的引线和法兰采用插入式安装方式。包装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热通道。这种HiFET符合RoHS标准。

特征

·20至32伏漏极偏压

·高达6GHz的高频操作

·高增益：G=19dB@2GHz

·高功率：P1dB=37dBm@2.4GHz

·高线性：IP3=50dBm@2.4GHz

·有效散热的陶瓷包装

应用

·宽带应用

·高压20至32V

·无线本地环路网络

·个人计算机基站

·WLAN、中继器和超局域网

·C波段VSAT

·航空电子通信