AM030WX-BI-R是一种分立砷化镓pHEMT，其总栅极宽度为3.0毫米。它是一个陶瓷双包，最多可运行10次千兆赫BI封装采用特殊设计的陶瓷封装，采用嵌入式安装方式，带有弯曲（BI-G）或直（BI）引线。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

高达10GHz的高频操作

增益=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz

表面贴装

有效散热的底层

应用

无线本地环路

驱动放大器

蜂窝无线电

中继器

C波段VSAT

雷达