AM010WX-BI-R是一种分立砷化镓pHEMT，其栅极总宽度为1.0毫米。它是在一个陶瓷双包操作高达12千兆赫。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，采用嵌入式安装方式，带有弯曲（BI-G）或直（BI）导线。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

高达12GHz的高频操作

增益=16 dB，P1dB=28.5dBm，Eff=53%@4GHz

表面贴装

有效散热的底层

应用

无线本地环路

驱动放大器

蜂窝无线电

中继器

C波段VSAT

雷达