AM010MH4-BI-R是砷化镓HIFET的BI系列的一部分。HiFET是一种部分匹配的专利设备配置，用于高压、大功率、高线性和宽带应用。该部件的总设备外围为4毫米。AM010MH4-BI-R专为高功率微波应用而设计，工作频率高达3GHz。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，弯曲或笔直的引线和法兰采用插入式安装方式。包装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热通道。这种HiFET符合RoHS标准。

特征

28V漏极偏压

宽带部分匹配：DC–2.4GHz

高达3 GHz的高频操作

高增益：G=19dB@2.0GHz

高功率：P1dB=31dBm@2.0GHz

高线性：IP3=46dBm@2.0GHz

有效散热的陶瓷包装

应用

宽带应用

高压20至28V

无线本地环路网络

PC基站

WLAN、中继器和超局域网

C波段VSAT

航空电子通信