AM010WH2-BI-R是砷化镓高场效应晶体管BI系列的一部分。HiFET是一种部分匹配的专利设备配置，用于高压、大功率和宽带应用。这一部分的总器件外围为2毫米（两个1毫米的FET串联）。AM010WH2-BI-R专为中功率微波应用而设计，工作频率可达12GHz。它也是更大功率设备的理想驱动程序。BI系列采用特殊设计的陶瓷封装，采用嵌入式安装方式，带有弯曲（BI-G）或直（BI）导线。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

高达12GHz的高频操作

高增益和高功率，P1dB=30dbm@3.5GHz

表面贴装

有效散热的底层

应用

无线本地环路网络

蜂窝无线电通信

WLAN、中继器和超局域网

C波段VSAT

雷达