AM005MH2-BI-R是GaAs HIFET BI系列的一部分。HiFET是一种部分匹配的专利设备配置，用于高压、大功率和宽带应用。这部分设备的总周长为1毫米。AM005MH2-BI-R专为高功率微波应用而设计，工作频率高达6 GHz。它也是更大功率设备的理想驱动程序。BI系列采用了特殊设计的陶瓷封装，弯曲或直的引线采用直接插入式安装方式。封装底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。此部分符合RoHS。

特征

•14伏漏极偏压

•宽带部分匹配：DC–2.4GHz

•高达6 GHz的高频操作

•高增益：G=15dB@3.5GHz

•高功率：P1dB=25dBm@3.5GHz

•高线性度：IP3=40dBm@3.5GHz

应用

•宽带应用

•高压10至14V

•无线本地环路网络

•PC基站

•WLAN、中继器和超局域网

•C波段VSAT

•航空电子通信