超宽带射频晶体管驱动放大器AM010WX-BI-R

发布时间：2018-11-14 17:15:42 浏览：2165

描述

AMCOM的AM010WX-BI-R是一个离散的GaAs PHEMT，其总栅极宽度为1.0mm。它是在陶瓷BI封装，运行高达12千兆赫。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这部分是符合RoHS标准的。

品牌	型号	货期	库存
AMCOM	AM010WX-BI-R	1周	100

如若您需要购买AM010WX-BI-R，请点击右侧客服联系我们！！！

特征
高达12 GHz的高频操作
增益＝16分贝，P1dB＝22.5dBm，EFF＝53% @ 4GHz
表面贴装

有效散热的底部

应用
无线本地环路
驱动放大器
无线电

C波段VSAT
雷达

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: C波段射频晶体管雷达AM030WX-BI-R