​CGH09120F高功率氮化镓（GaN）晶体管

发布时间：2025-04-28 16:35:21     浏览：171

CGH09120F是一款由 Wolfspeed（原CREE科锐）公司生产的高电子迁移率晶体管（HEMT），采用氮化镓（GaN）技术，具有高效率、高增益和宽带能力，支持宽带信号处理，尤其适合需要动态频率调整的系统。

CGH09120F电路示意图

主要特性

频率范围：UHF 至 2.5 GHz。

功率输出：120 瓦。

增益：21 分贝。

工作电压：28 V。

封装形式：陶瓷/金属法兰封装。

效率：在 20 W PAVE 时效率为 35%。

应用优势：支持高度数字预失真（DPD）校正。

技术对比与优势

参数

CGH09120F

硅基LDMOS

备注

频率上限

2.5 GHz

通常<1 GHz

GaN在高频下效率更高

功率密度

4.3 W/mm²

约1 W/mm²

适合紧凑型设计

效率（PAVE）

35%

20%~25%

显著降低系统功耗

热阻

1.2°C/W

2.5°C/W

更优的散热能力

应用领域

无线通信基站

  • 作为 LTE、WCDMA 或 MC-GSM 基站功率放大器的核心器件，提供高效率、高线性的射频信号放大，降低基站能耗与运营成本。

  • 适用于多载波聚合（CA）场景，通过 DPD 技术提升多载波信号的线性度。

雷达与电子战系统

  • 在雷达发射机中实现宽带信号的高效放大，支持高分辨率成像与目标探测。

  • 适用于电子战中的干扰机，通过高功率、宽带宽特性实现有效的信号压制。

卫星通信与微波回传

  • 在 Ka 频段或 Ku 频段卫星通信终端中，作为功率放大器件，提供稳定的信号增益与输出功率。

  • 适用于微波回传链路，支持长距离、高容量的数据传输。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，CREE公司产品包括：LED芯片、照明LED、背光LED、电源开关装置、射频设备用LED和无线电设备。中铁二院凭借其优越的供应渠道，拥有长期的库存以满足中国市场的需求。欢迎咨询。

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