​第三代650伏裸片碳化硅MOSFET

发布时间:2025-02-13 15:38:51     浏览:178

CREE凭借其三代650伏碳化硅MOSFET,进一步夯实了在碳化硅技术领域的领航地位。第三代650伏裸片碳化硅MOSFET能够在更广泛的电力系统中实现电力转换的小型化、轻量化与高效化。其凭借业界领先的导通电阻和开关损耗表现,在650伏碳化硅MOSFET产品中脱颖而出,为系统带来了前所未有的效率和功率密度。

CREE.png

特性

在低温条件下展现出极低的导通电阻,有效降低能量损耗。

低寄生电容设计,减少不必要的信号干扰和能量损失。

配备具有超低反向恢复速度的快速二极管,进一步提升开关性能。

支持高温操作(Tj=175°C),拓宽了应用场景和可靠性。

优势

通过显著降低开关和传导损耗,提高了整体系统效率。

实现了高频率的开关操作,提升了系统的响应速度和灵活性。

提高了系统级的功率密度,使得在有限的空间内能够部署更强大的功能。

减小了系统的尺寸、重量和冷却需求,降低了整体成本和维护复杂度。

应用领域

高性能工业电源,为工业生产提供稳定、高效的电力支持。

服务器/电信电源,确保数据中心和通信网络的稳定运行。

电动汽车充电系统,加速电动汽车的普及和充电效率的提升。

储能系统(ESS),优化能源存储和分配,提高能源利用效率。

不间断电源(UPS),为关键设备提供可靠的电力保障。

电池管理系统(BMS),精确监控和管理电池状态,延长电池使用寿命。

深圳市立维创展科技有限公司CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,保证原装正品。,如若需要购CREE产品,请联系我们!!!


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Reverse Recovery Time (Trr)

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Tjmax

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CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C


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