​第三代650 V裸片SiC MOSFET

发布时间：2025-01-03 16:57:39     浏览：366

行业内超一流导通电阻和开关损耗，能够实现最佳性能和功率密度参数。

Wolfspeed根据第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅（SiC）技术上的主导地位。在更全面的电力系统中满足体型更小、重量更轻、更高效的电力转化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工业电源、服务器/电信网络电源、新能源电动车（EV）充电装置、储能设备、应急电源（UPS）和电池管理系统等功能的最佳选择。

特征

低温环境的低导通电阻

低寄生电容

具备极低反向恢复的高效二极管

持续高温操控（Tj=175°C）

MOSFET.png

优势

通过调整开关和传输损耗提高设备效率

实现高开关频率操控

提高系统级功率密度参数

降低装置规格；重量；和冷却要求

典型应用

工业电源

服务器/电信网络

新能源充电桩装置

储能设备（ESS）

应急电源（UPS）

电池管理系统（BMS）

CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，信用保证原装正品。

*部分型号需申请美国出口许可。详情了解更多型号，欢迎咨询立维创展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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