1200V分立碳化硅MOSFET CREE

发布时间：2024-12-10 17:09:20     浏览：421

CREE的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET系列对应高功率应用进行优化，如应急电源（UPS）、电机控制系统和驱动器、开关电源电路、储能设备、新能源电动车快充、高压DC/DC转换器等。根据第三代技术应用，各种导通电阻和封装选项使技术人员能够为其应用选择最佳的器件。将CREE的1200 V碳化硅二极管与碳化硅MOSFET匹配，为要求极高的应用提供了更高效率的强大组合。

MOSFET.png

特征

温度高时RDS（ON）比较稳定

提供带单个开尔文源管脚的封装选项

转换速度极快

降低散热器需求

优势

更利于驱动器（+15V栅极驱动器）

提高系统级效率

稳固的体二极管（无需外部二极管）

典型应用

太阳能逆变器和储能

车载式和快速直流电电动车充电系统

电机控制系统和驱动器

焊接和电磁感应加热

辅助电源

高压DC/DC转换器

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

 

Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Tjmax

Package

C3M0016120K

1200 V

16 mΩ

115 A

175 °C

TO-247-4

C3M0016120D

1200 V

16 mΩ

115 A

175 °C

TO-247-3

C3M0016120K1

1200 V

16 mΩ

125 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0021120D

1200 V

21 mΩ

81 A

175 °C

TO-247-3

C3M0021120K

1200 V

21 mΩ

100 A

175 °C

TO-247-4

C3M0021120K1

1200 V

21 mΩ

104 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0021120J2

1200 V

21 mΩ

114 A

175 °C

TO-263-7 XL

C3M0032120K

1200 V

32 mΩ

63 A

175 °C

TO-247-4

C3M0032120D

1200 V

32 mΩ

63 A

175 °C

TO-247-3

C3M0032120K1

1200 V

32 mΩ

67 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0032120J1

1200 V

32 mΩ

68 A

150 °C

TO-263-7 XL

C3M0032120J2

1200 V

32 mΩ

74 A

175 °C

TO-263-7 XL

C3M0040120K1

1200 V

40 mΩ

57 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0040120J2

1200 V

40 mΩ

63 A

175 °C

TO-263-7 XL

C3M0040120J1

1200 V

40 mΩ

64 A

150 °C

TO-263-7 XL

C3M0040120D

1200 V

40 mΩ

66 A

175 °C

TO-247-3

C3M0040120K

1200 V

40 mΩ

66 A

175 °C

TO-247-4

C3M0075120J

1200 V

75 mΩ

30 A

150 °C

TO-263-7

C3M0075120D

1200 V

75 mΩ

30 A

150 °C

TO-247-3

C3M0075120K

1200 V

75 mΩ

32 A

150 °C

TO-247-4

C3M0075120K-A

1200 V

75 mΩ

32 A

175 °C

TO-247-4

C3M0075120D-A

1200 V

75 mΩ

32 A

175 °C

TO-247-3

C3M0075120K1

1200 V

75 mΩ

32 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0075120J2

1200 V

75 mΩ

34 A

175 °C

TO-263-7 XL

C3M0160120D

1200 V

160 mΩ

17 A

150 °C

TO-247-3

C3M0160120J

1200 V

160 mΩ

17 A

150 °C

TO-263-7

C3M0160120K1

1200 V

160 mΩ

18 A

175 °C

TO-247-4 LP

C3M0350120J

1200 V

350 mΩ

7.2 A

150 °C

TO-263-7

C3M0350120D

1200 V

350 mΩ

7.6 A

150 °C

TO-247-3

C2M0040120D

1200 V

40 mΩ

60 A

150 °C

TO-247-3

C2M0080120D

1200 V

80 mΩ

36 A

150 °C

TO-247-3

C2M0160120D

1200 V

160 mΩ

19 A

150 °C

TO-247-3

C2M0280120D

1200 V

320 mΩ

10 A

150 °C

TO-247-3

C2M0025120D

1200 V

25 mΩ

63 A

150 °C

TO-247-3


上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: ​CHA2193-99F K,Ka波段低噪声放大器

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​AAT-15-479/1S电压控制衰减器：高性能微波幅度调节
    ​AAT-15-479/1S电压控制衰减器：高性能微波幅度调节 2025-04-29 16:21:13

    AAT-15-479/1S 是美国 PULSAR Microwave 公司推出的高性能电压控制衰减器，专为微波电路精确幅度调节设计，具备 0.5 - 2 GHz 频率范围、64 分贝衰减范围、低插入损耗（最大 3.5 dB）及高功率处理能力（高达 +27 dBm）等特性，采用 SMA 连接器，工作温度范围 -25℃至 +80℃，在通信、测试测量、雷达系统中可用于精确调控信号强度、适配量程、避免接收机过载及增强回波检测能力。