​CGHV60170D-GP4高电子迁移率晶体管

发布时间:2024-11-18 17:03:20     浏览:569

CGHV60170D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备优异的性能;包含较高的击穿场强;饱和电子偏移速度较高;及其较高的传热性。与SiGaAs晶体管相比较,CGHV60170D提供较高的功率密度和更宽的频带宽度。

CGHV60170D-GP4.png

产品规格

阐述:170瓦;6.0 GHz50VGaN HEMT芯片

最低频率(MHz):0

最高频率(MHz):6000

增益值(dB):17

封装类别:Die

特征

65%典型功率附加效率

170 W典型PSAT

50V操控

高击穿场强

频率范围高至6 GHz

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