CGHV60170D-GP4高电子迁移率晶体管
发布时间:2024-11-18 17:03:20 浏览:569
CGHV60170D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较,GaN具备优异的性能;包含较高的击穿场强;饱和电子偏移速度较高;及其较高的传热性。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV60170D提供较高的功率密度和更宽的频带宽度。
产品规格
阐述:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT芯片
最低频率(MHz):0
最高频率(MHz):6000
增益值(dB):17
封装类别:Die
特征
65%典型功率附加效率
170 W典型PSAT
50V操控
高击穿场强
频率范围高至6 GHz
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