WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE

发布时间：2024-11-14 17:26:18     浏览：477

WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非对称多赫蒂功率放大器模块（PAM），将GaN on SiC技术应用和现代化的匹配和偏置电压网络集成在具备高端散热系统的多层层压基材上。WS1A2639-V1-R3K频率范围在2496 MHz至2690 MHz。并且使用最高50V的电源电压；均值输出功率标准为6至8 W，最高值因子下降，数字预失真的LTE和5G NR数据信号，瞬时带宽高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封装在6mm X 6mm的焊层栅格阵列（LGA）封装中。

WS1A2639-V1-R3K.png

产品规格

阐述：38.5dBmGaN on SiC功率放大器模块；2496-2690MHz

最低频率（MHz）：2496

最高频率（MHz）：2690

P3dB输出功率（W）：50

增益值（dB）：16.5

效率（%）：57

额定电压（V）：48

封装类别：表面贴装

封装：封装分立晶体管

技术应用：SiC上的GaN

特征

GaN基SiC技术应用

从器件两侧为主导和最高值子放大器具备栅极偏置电压电源

集成化谐波终端

无铅并满足RoHS标准

推荐的驱动安装是WSGPA01

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

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