PXAE263708NB-V1 S波段大功率射频LDMOS场效应晶体管

PXAE263708NB-V1 S波段大功率射频LDMOS场效应晶体管

发布时间：2024-11-04 16:57:13 浏览：619

PXAE263708NB-V1是CREE的一款400瓦（P3dB）LDMOS FET，应用于2620至2690 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。包含输入输出适配；高增益以及具有无突缘的热增强封装形式。PXAE263708NB-V1采用独特的LDMOS工艺技术；PXAE263708NB-V1具有良好的热稳定性和优异的安全性能。

产品规格

阐述：高功率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

最低频率（MHz）：2620

最高频率（MHz）：2690

P3dB输出功率（W）：400

增益（dB）：13.5

效率（%）：47

额定电压（V）：28

封装类别：塑料

封装：封装形式分立晶体管

技术：LDMOS

特征

宽带内部输入输出适配

非对称性Doherty设计：主P1dB=140W典型值；最高值P1dB=260 W典型值

典型的脉冲CW特性；2655MHz；28v；多尔蒂构型；AB类：P1dB=200W时的输出功率；P3dB=400W时的输出功率；效率=49%（POUT=57 W均值）；增益=15 dB（POUT=57 W均值）

能够处理32 V时10:1的VSWR；100 W（CW）输出功率

集成化ESD保护

无铅并满足RoHS标准

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