​GTVA261802FC-V1高功率RF GaN放大器CREE

发布时间：2024-10-29 17:05:16     浏览：481

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模式放大器，适用于多标准蜂窝状功率放大器技术应用。GTVA261802FC-V1具备输入适配、高效率和无轴环热增强封装的特性。

GTVA261802FC-V1.png

产品规格

阐述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低频率（MHz）：2620

最大的频率（MHz）：2690

P3dB输出功率（W）：170

增益值（dB）：16.8

高效率（%）：43

额定电压（V）：48

封装类别：Earless

封装：封装分立晶体管

技术：SiC上的GaN

特征

•GaN-on-SiC HEMT技术

•输入适配

•典型的脉冲CW性能，组合输出，

2690 MHz，48 V，10µs脉冲宽度，10%pwm占空比

-P3dB=170W时的输出功率

-P3dB时的漏极高效率=65.5%

-P3dB=15dB时的增益值

•能够完成48 V、180 W（CW）输出功率下10:1的VSWR

•模特模型1A级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

•低导热系数

•无铅并满足RoHS标准

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