​GTRB266502FC S波段高功率RF GaN基SiC放大器CREE

发布时间：2024-10-25 17:07:29     浏览：437

CREE放大器GTRB266502FC是款630 W（P3dB）S波段高功率RF GaN基SiC放大器，致力于多标准蜂窝状电源应用需求设计。GTRB266502FC具备高效率和无环槽的热增强封装数据。

GTRB266502FC.png

特征

•GaN on SiC技术

•输入输出适配

•不对称设计：

主：P3dB=297 W

最高值：P3dB=416W

•脉冲CW性能指标：2690 MHz，48 V，10µs脉冲宽度，10%pwm占空比，组合输出

•输出功率@P3dB=630 W

•P3dB时的效率=67%

•低热导率

•满足RoHS标准

应用

•蜂窝状电源

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件，如若需要购CREE产品，请点击右侧客服联系我们！！！

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA4105-QDG S波段驱动放大器UMS

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司，是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商，其金属玻璃密封端子，已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • ​AAT-15-479/1S电压控制衰减器：高性能微波幅度调节
    ​AAT-15-479/1S电压控制衰减器：高性能微波幅度调节 2025-04-29 16:21:13

    AAT-15-479/1S 是美国 PULSAR Microwave 公司推出的高性能电压控制衰减器，专为微波电路精确幅度调节设计，具备 0.5 - 2 GHz 频率范围、64 分贝衰减范围、低插入损耗（最大 3.5 dB）及高功率处理能力（高达 +27 dBm）等特性，采用 SMA 连接器，工作温度范围 -25℃至 +80℃，在通信、测试测量、雷达系统中可用于精确调控信号强度、适配量程、避免接收机过载及增强回波检测能力。