PTRA087008NB-V1高功率射频LDMOS场效应晶体管CREE

发布时间:2024-10-21 17:05:16     浏览:386

PTRA087008NB-V1是一款650瓦的高功率射频LDMOS场效应晶体管。设计用于755 MHz至805 MHz的多标准蜂窝功率放大器应用。PTRA087008NB-V1采用先进的LDMOS工艺制造;PTRA087008NB-V1具有优异的热性能和优异的可靠性。

特征

宽带内部输入输出匹配

非对称设计:主P1dB=245W典型值;峰值P1dB=380 W典型值

典型的脉冲CW性能;805兆赫;48v;Doherty配置:P3dB=650W时的输出功率;效率=52%;增益=19.5 dB

能够在48 V下处理10:1 VSWR;30 W(WCDMA)输出功率

集成ESD保护

符合RoHS标准

产品规格

说明:高功率RF LDMOS FET 650 W;48v;755-805兆赫

最小频率(MHz):500

最大频率(MHz):1000

P3dB输出功率(W):380

增益(dB):18.5

效率(%):52

工作电压(V):48

包装类别:塑料

形式:封装分立晶体管

技术:LDMOS

深圳市立维创展科技有限公司授权经销CREE微波器件,如若需要购CREE产品,请点击右侧客服联系我们!!!

推荐资讯

  • 关于THUNDERLINE-Z产品申明
    关于THUNDERLINE-Z产品申明 2020-10-14 15:54:05

    深圳市立维创展科技有限公司,是美国THUNDERLINE-Z & Fusite品牌在中国的授权渠道商,其金属玻璃密封端子,已广泛应用于航天、军事、通信等高可靠性领域。

  • 4400、4500、4600 系列步进衰减器Anritsu
    4400、4500、4600 系列步进衰减器Anritsu 2025-06-12 16:34:08

    Anritsu的4400、4500、4600系列步进衰减器为可编程设计,封装小巧但性能强劲,支持高频(最高40GHz)与宽衰减范围,具备低损耗、高可重复性及长寿命(500万次操作),适用于通信、测试测量、研发及电子战等领域,实现信号精确控制与衰减调整。