WGC22630热增强GaN放大器CREE
发布时间:2024-10-17 17:08:29 浏览:539
CREE的WGC22630是款630 W(P4dB)GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器,非常适合多标准化蜂窝功率放大器技术需求设计。WGC22630具备2110-2200 MHz的优化操作控制热增强的包覆塑料封装。
特征
GaN基SiC HEMT技术
单脉冲CW性能:2155 MHz,48 V,40µs脉冲宽度,10%pwm占空比,组合输入输出
输出功率@P4dB=630 W
P4dB=68%时的效率
满足RoHS标准化
产品规格
介绍:热增强GaN放大器630 W,48 V,2110-2200 MHz
最高频率(MHz):2200
电源电压(V):48
PSAT Watt(W):85
增益(dB):16.5
封装:TO288-8L
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