WGC22630热增强GaN放大器CREE

发布时间：2024-10-17 17:08:29 浏览：660

CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常适合多标准化蜂窝功率放大器技术需求设计。WGC22630具备2110-2200 MHz的优化操作控制热增强的包覆塑料封装。

特征

GaN基SiC HEMT技术

单脉冲CW性能：2155 MHz，48 V，40µs脉冲宽度，10%pwm占空比，组合输入输出

输出功率@P4dB=630 W

P4dB=68%时的效率

满足RoHS标准化

产品规格

介绍：热增强GaN放大器630 W，48 V，2110-2200 MHz

最高频率（MHz）：2200

电源电压（V）：48

PSAT Watt（W）：85

增益（dB）：16.5

封装：TO288-8L

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