CGH35060P2晶体管CREE

发布时间：2024-08-27 09:21:16     浏览：431

　　CREE CGH35060P2是一款专为高效率设计的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这款晶体管具有高增益和宽带宽能力，特别适合在3.1至3.5 GHz的S波段进行脉冲放大器应用。它采用了陶瓷/金属法兰和药丸封装，确保了其在特定应用中的可靠性和稳定性。

CGH35060P2晶体管CREE

　　主要特征：

　　操作频率范围：3.3至3.6 GHz

　　峰值功率能力：60W

　　小信号增益：12 dB

　　在8瓦输出时的误差向量幅度(EVM)：< 2.0%

　　在8瓦输出时的排水效率：25%

　　应用：WiMAX固定接入(802.16-2004 OFDM)和WiMAX移动接入(802.16e OFDMA)

　　技术规格：

　　零件编号：CGH35060P2

　　描述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化镓HEMT

　　最小频率：3100 MHz

　　最大频率：3500 MHz

　　峰值输出功率：60W

　　增益：12.0 dB

　　效率：60%

　　工作电压：28V

　　封装形式：分立晶体管，法兰、丸

　　技术：GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)

　　CGH35060P2晶体管因其高效率和适用于高频操作的特性，在无线通信和雷达系统等高性能应用中表现出色。其氮化镓技术提供了优于传统硅基晶体管的性能，特别是在高温和高压环境下。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

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