​CHA3666-FAB C/X/Ku波段低噪声放大器UMS

发布时间：2024-01-08 17:04:53     浏览：719

CHA3666-FAB是种二级自偏置宽带单片低噪声放大器。

CHA3666-FAB采用高精度PHEMT工艺技术：0.25um栅极尺寸，横穿基板的通孔，空气桥电子束栅极光刻技术。

CHA3666-FAB推荐使用无导线表面贴装技术密封性金属陶瓷6x6mm封装，整体性电源为4V/80MA。

CHA3666-FAB常用于空间技术应用，特别适合各种各样微波和毫米波应用与体系。

CHA3666-FAB.png

主要特征

宽带性能6-16GHZ

1.8db典型相位噪声

24dbm3e交易截取点

缩减1db时的16dbm功率

21db增益值

低直流电功能损耗

6x6mm金属陶瓷密封包装

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