CGHV40180 L波段功率放大器CREE
发布时间:2023-12-29 17:14:35 浏览:756
CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异的性能;包括更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较,CGHV40180还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV40180选用2导线金属/陶瓷法兰盘和药丸式封装,能够实现最好电气和热稳定性。
特征
输入不适配
180W(CW)最低功率
250W典型功率
24dB典型小信号增益值
28V和50V使用
应用领域
雷达探测
医疗保健
宽带放大器
信息安全VHF-UHF
国防军事通讯设备
产品规格
描述:180瓦;DC-2GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管
最低频率(MHz):0
最高频率(MHz):2000
最高值输出功率(W):200
增益值(分贝):24.0
效率(%):70
额定电压(V):27
类型:封装分立晶体管
封装类别:法兰盘、丸状
技术应用:GaN-on-SiC
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