​CGHV40180 L波段功率放大器CREE

发布时间:2023-12-29 17:14:35     浏览:756

CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入,能够在DC-2.0GHz范围之内提供最好的的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较,CGHV40180具有更加优异的性能;包括更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与SiGaAs晶体管相比较,CGHV40180还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV40180选用2导线金属/陶瓷法兰盘和药丸式封装,能够实现最好电气和热稳定性。

CGHV40180.png

特征

输入不适配

180W(CW)最低功率

250W典型功率

24dB典型小信号增益值

28V50V使用

应用领域

雷达探测

医疗保健

宽带放大器

信息安全VHF-UHF

国防军事通讯设备

产品规格

描述:180瓦;DC-2GHz;氮化镓高电子迁移率晶体管

最低频率(MHz)0

最高频率(MHz)2000

最高值输出功率(W)200

增益值(分贝)24.0

效率(%):70

额定电压(V)27

类型:封装分立晶体管

封装类别:法兰盘、丸状

技术应用:GaN-on-SiC

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