​CGHV96130F X波段功率放大器CREE

发布时间:2023-12-12 16:59:41     浏览:830

CREECGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比,GaN具有更好的性能;包括更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比,GaN HEMT还具有更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96130F使用金属/陶瓷法兰封装可以实现最佳的电气和热稳定性。

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特征

166WPOUT(典型值)

7.5dB功率增益值

42%典型PAE

50Ω内部适配

<0.3dB功率下降

产品规格

描述:130瓦;8.4-9.6GHz50Ω;主要用于X波段雷达应用的输入/输出适配GaNHEMT

最小频率(MHz)8400

最大频率(MHz)9600

最高值输出功率(W)130

效率(%):42

额定电压(V)40

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