Q3XG-1850R SMT 混合耦合器Electro-Photonics
发布时间:2023-12-05 16:51:51 浏览:710
Electro-Photonics的Q3XG-1850R耦合器具备SMT性能,对于建议的线路板布局进行全面优化调整。选用中小型封装,具有低插入损耗和高功率性能。Q3XG-1850R混合耦合器主要用于窄带和宽带功率放大器应用领域。
Q3XG-1850R耦合器是非磁性的,适合用在MRI应用上使用。Dragon™耦合器在国外设计制造,满足RoHS和REACH标准。
Q3XG-1850R标准表层处理是浸锡。能根据需要提供化学镀镍浸金(ENIG)。
特征
1500–2200MHz
低损耗
高隔离度
严苛的振幅平衡性
90度正交
表面贴装技术
CTE适配
DCS、PCS、LTE频率段
卷带选择
评估板722-0006-03-E01
规格
规格:0.560x0.350英寸
频率:1500-2200MHz
额定功率:165瓦
插入损耗:0.10dB
幅度平衡性:±.2
隔离度:28dB
驻波比:1.15
相位平衡性:±2
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