Teledyne防务电子GaN宽带放大器

发布时间:2022-06-15 16:38:22     浏览:1209

氮化镓(GaN)功率半导体技术应用为增强射频/微波功率放大器性能作出了巨大贡献。利用减少元器件的附生器件,选用更短的栅极尺寸和更高的电压频率,GaN晶体管满足了更高的输出功率、更宽的带宽和更快的直流电源射频效率。

随着以GaN材质为代表的第三代半导体器件的诞生,GaN HEMT因为其宽频带隙而备受关注,高传热性、高击穿场强和高峰值电子转移速率。基于GaN材质的宽带功率放大器普遍使用于无线通信网络、无线网络、电子对抗、雷达系统等行业领域。

深圳市立维创展科技是Teledyne防务电子的经销商,提供Teledyne防务电子产品涵盖LDMOSGaNGaAsInPTeledyne防务电子产品线支持宽频带、窄带、脉冲放大器,频率1MHz~220GHz,功率mW~10kW,优势渠道提供Teledyne防务电子订货,欢迎咨询。

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Teledyne防务电子.png

Model

Frequency Range MHz

Gain dB Typ.

Noise Figure dB Typ.

P1dB

dBm Typ.

P4dB

dBm Typ.

P4dB

Watts Typ.

IP3/IP2/Pout dBm Typ.

Preamp D.C.

Volts Nom

Preamp D.C.

mA Max.

D.C.

Volt Nom

Amps Q/@P3dB Typ.

GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS

AVP598

50-700

16.5

2.5

38

43.2

20.9

50/64/40

N/A

N/A

28

0.85/1.5

AVP514

50-700

40

3.7*

38

43.2

20.9

50/62/40

12

230

28

1.2/2.3

AVP2515

600-2600

17

4.5

35

41

12.6

48/50/37

N/A

N/A

28

0.85/1.50

AVP2524

600-2600

41

4.5

35

41

12.6

47/48/37

12

185

28

1.25/1.9

AVP2030

500-2400

16

3.7

39

44

25.1

53/65/40

N/A

N/A

28

0.85/2.6

AVP2034

500-2400

40

3.7

39

44

25.1

52/62/40

12

200

28

1.2/3.2

AVP2050

900-2000

14

4

42

48

63.1

55/68/43

N/A

N/A

28

1.6/5.50

GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS

A2CP2595

20-500

24

3

34

36.2

4.2

45/58/27

12

185

28

0.39/0.47

500-2500

24

3

32.5

34

2.5

40/56/27

12

185

28

0.39/0.47

A2CP2596

20-500

24

4.8

36.5

37.5

5.6

8/52/23

15

335

28

0.53/0.70

500-2500

24

4.3

34.5

37.5

5.6

42/48/23

15

335

28

0.53/0.70


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