Teledyne防务电子GaN宽带放大器
发布时间:2022-06-15 16:38:22 浏览:1209
氮化镓(GaN)功率半导体技术应用为增强射频/微波功率放大器性能作出了巨大贡献。利用减少元器件的附生器件,选用更短的栅极尺寸和更高的电压频率,GaN晶体管满足了更高的输出功率、更宽的带宽和更快的直流电源射频效率。
随着以GaN材质为代表的第三代半导体器件的诞生,GaN HEMT因为其宽频带隙而备受关注,高传热性、高击穿场强和高峰值电子转移速率。基于GaN材质的宽带功率放大器普遍使用于无线通信网络、无线网络、电子对抗、雷达系统等行业领域。
深圳市立维创展科技是Teledyne防务电子的经销商,提供Teledyne防务电子产品涵盖LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防务电子产品线支持宽频带、窄带、脉冲放大器,频率1MHz~220GHz,功率mW~10kW,优势渠道提供Teledyne防务电子订货,欢迎咨询。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
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Q3XB-4000R-SMA 是 Electro-Photonics 设计的高性能 3dB 90 度 SMT 混合耦合器,旨在优化窄带和宽带功率放大器性能。它封装尺寸小,适合空间受限场景,具备 1700-6000 MHz 频率范围、85 瓦额定功率等性能参数,接口类型多样且表面处理可定制,广泛应用于信号分割/组合、天线波束形成网络等多个领域。