L 频段RF分立式GaN晶体管 QPD1025航空电子射频晶体管 Qorvo现货出售

发布时间：2018-07-18 11:29:24 浏览：2279

Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W（P3dB）分立GaN晶体管，L 频段1800W双通道射频晶体管，工作频率范围为1.0至1.1 GHz。封装内的输入预匹配使外部电路板易于匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于IFF，航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持CW和脉冲操作。

无铅和符合ROHS标准。

品牌	型号	描述	货期	库存
Qorvo	QPD1025	1800瓦，65伏，1.0 - 1.1 GHz，GaN RF输入匹配晶体管	现货	199

典型应用

IFF转发器
航空电子学

主要特征

频率范围：1.0到1.1 GHz
输出功率（P 3dB 1）：1862瓦特
线性增益：22.5 dB
典型PAE 3dB 1：77.2％
工作电压：65 V.
CW和Pulse能力

注1：@ 1.0GHz负载牵引

主要参数

频率最小值（MHz）	1000
频率最大值（MHz）	1100
增益（dB）	22.5
Psat （dBm）	62.7
PAE （％）	77.2
VD （V）	65
Idq （mA）	1500
包装类型	NI-1230（无耳）

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