TGF2023-2-20分立晶体管SiC HEMT上100瓦离散功率GaN Triquint现货代理商

发布时间：2018-05-31 17:04:39     浏览：7186

Qorvo的TGF2023-2-20是SiCHEMT上的离散20 mm GaN，工作频率从DC到14 GHz。


通常，TGF2023-2-20在3 GHz时提供50.5 dBm的饱和输出功率，功率增益为19.2 dB。最大功率附加效率为70.5％，这使得TGF2023-2-20适用于高效应用。


该产品无铅且符合RoHS标准。


品牌 型号 描述 货期 库存
TriQuint TGF2023-2-20 频率范围：DC至14 GHz,19.2 dB额定功率增益 现货 36


TGF2023-2-20主要特征

  • 频率范围：DC至14 GHz
  • 3 GHz时标称Psat为50.5 dBm
  • 最大PAE为70.5％
  • 19.2 dB额定功率增益
  • 偏压：Vd = 12至32 V，Idq = 400 - 2000 mA
  • 芯片尺寸：0.82×4.56×0.10mm


TGF2023-2-20典型应用

    • 宽带无线
    • 军事
    • 空间



频率最小值（MHz） DC
最大频率（MHz） 14000
增益（dB） 19.2
Psat （dBm） 50.5
PAE （％） 70.5
VD （V） 12至32
Idq （mA） 400至2,000
包装类型 封装




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