AMCOM离散功率GaN HEMT射频晶体管

发布时间：2020-08-27 16:10:31 浏览：1877

AMCOM是全球半导体微波设计领先企业，是机器设备/MMIC封装，功能模块组装和RF/DC检测领域的专家，AMCOM的产品涵盖功率FET，MMIC功率放大器及其带有rf射频和直流电连接器的高功率放大器功能模块。AMCOM离散功率GaNHEMT射频晶体管具备优秀的线形和宽带优势，而且能充分发挥更好的高功率高密度和输出效率。

GaN是一种非常稳定的化合物，具有很强的原子键、高的热导率、最高的电离度和良好的化学稳定性，这使得GaN器件比Si和GaAs具有更强的抗辐射能力。同时，GaN是一种高熔点、高导热性的材料。GaN功率器件通常以SiC为衬底，具有较好的热导率，因此GaN功率器件具有较高的结温和高温工作能力。

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)已成为5G大型基站功率放大器的主流候选技术，由于其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为5 G基站首选半导体技术。

深圳市立维创展科技是AMCOM经销商，专业提供AMCOM产品系列包括：射频晶体管、MMIC功率放大器、混合放大器模块、宽带放大器、高功率放大器模块、带RF和DC连接器的高功率放大器模块和低噪声放大器，功率放大器，开关，衰减器，移相器以及上/下边变频器的定制等，产品原装进口，质量保证，欢迎咨询。

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离散功率GaN HEMT

模型	频率（GHz）	最大频率（GHz）	增益（dB）	P1分贝（dBm）	峰值（dBm）	偏差（V）
AM050WN-CU-R	直流电	6	16.5	41.7	43	-14
AM100WN-CU-R	直流电	6	14	44.5	46	-14
AM025WN-BI-R	直流电	8	16	38.9	40	-14
AM012WN-BI-R	直流电	10	17	36.1	37	-14
AM005WN-BI-R	直流电	12	15	32	33.5	-14
AM012WN-00-R	直流电	15	22	36.1	37.7	-14
AM025WN-00-R	直流电	15	21	38.9	40.5	-14
AM050WN-00-R	直流电	15	20	41.7	43.3	-14
AM100WN-00-R	直流电	15	19	44.5	46.1	-14
AM005WN-00-R	直流电	18	23	32	33.4	-14

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